报告题目：锑化物半导体光电子器件

        报 告 人：魏志鹏    教授

        单      位：长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室

        报告时间：2024年6月4日15:00（星期二） 

        报告地点：稀土大厦203

        报告人简介：

        中国科学院长春光学精密机械与物理研究所凝聚态物理专业毕业，研究生学历，博士学位，教授，博士生导师，现任高功率半导体激光国家级重点实验室副主任。国家级科技创新领军人才、吉林省杰出青年基金获得者、吉林省突出贡献专家、吉林省拔尖创新人才第二层次、吉林省青年科技奖获得者、吉林省科技创新团队负责人。政协吉林省第十二届委员会委员、政协长春市第十四届委员会委员、吉林省海联会常务理事、吉林省侨联青委会常务理事、校侨联主席、IEEE 3M-Nano PC委员及出版主席、中国物理学会发光分会委员、吉林省院士专家联合会第一届理事会理事。

        从事半导体光电子器件研制及转化工作24年，以激光雷达等领域所需器件为研究重点，开展“激光芯片”瓶颈技术攻关，解决了分子束外延组分精确控制等难题，研制的锑化物激光器经鉴定达到国际先进水平， 打破美国对我国出口限制指标，激光器件实现多领域转化，获授权国家发明专利22项。在Advanced Materials、Nano Letters、ACS Nano等期刊发表论文100余篇，他人引用1000余次，4篇论文入选ESI高被引、热点论文，典型工作被评价为“探究半导体激光器性能极限的基础性工作”。获中国产学研合作创新奖（个人奖）、吉林省科技进步一等奖（第一完成人）、吉林省自然科学三等奖（第一完成人）、国防科技进步一等奖等科技奖励12项。培养研究生获中国光学学会王大珩光学奖，获省优秀博、硕士论文8篇。

        报告摘要：

        锑化物半导体材料是指由III-V族(InGaAl)(AsSb)等元素构成的晶格常数为0.61nm的独特体系，其异质结低维结构具有I型、II型窄带隙能带，在中长波红外光电器件、高速低功耗微电子器件、热电和制冷绿色能源器件等方面具有独特优越性。早期研究受Sb元素精确控制精度、As和Sb两种V族元素交叉控制方法以及锑化物表面处理技术水平的限制，使锑化物材料的基础研究和光电子器件制备技术长期落后于N、P、As化物III-V族体系。报告人将从事半导体光电子器件研制及转化方面，以激光雷达等领域所需器件为研究重点，开展“激光芯片“瓶颈技术攻关，解决了分子束外延组分精确控制等难题，使其激光器件实现多领域转化。

 

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